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解析高纯试剂以及高纯试剂分类

发布时间: 2018-08-24 19:34   647 次浏览

     纯度远高于优级纯的试剂叫做高纯试剂。是在通用试剂基础上发展起来的,是为了专门的使用目的而用特殊方法生产的纯度的试剂。高纯试剂控制的是杂质项含量,基准试剂控制的是主含量,基准试剂可用标准溶液的配制,但高纯试剂不能用于标准溶液的配制(单质氧化物除外)。

  目前在国际上也无统一的明确规格,我国除对少数产品制定了国家标准外,大部分高纯试剂的质量标准还很不统一,在名称上也有高纯、超纯、特纯、光谱纯、电子纯等不同叫法。一般以9来表示产品的纯度。故在规格栏中标以2个9、3个9、4个9以此类推,根据这个原则可将高纯物质分为:

  杂质总含量不大于1。5×10-2%,其纯度为3。5个9(99。95)简写为3。5N

  杂质总含量不大于1。0×10-2%,其纯度为4个9(99。99)简写为4。0N

  杂质总含量不大于1.0×10-3%,其纯度为5个9(99.999)简写为5N

  对高纯试剂或高纯元素纯度或杂质含量的检验,一般常用原子吸收光谱、原子发射光谱、色谱、质谱比色化学分析等方法进行测定。其阴离子规格原则上参照试剂优级标准,没有优级标准的产品由生产单位自行制定。根据用途不同,把高纯试剂又分成几大类:

  普通离纯试剂

  是指一些高纯单质金属、氧化物、金属盐类等,常用于原子能工业材料、电子工业材料、半导体基础材料等,金属单质的氧化物、用来配制标准溶液和作为标准物质,该类试剂常要求含量在4N-6N之间。

  超净电子纯试剂

  超净高纯试剂是集成电路(IC)制造工艺中的专用化学品,用于硅片清洗、光刻、腐蚀工序中。对这种高纯试剂中可溶性杂质和固态微粒要求非常严格,为适应IC集成度不断提高的需求,国际上半导体工业协会(SemiconductorIndustryAssociation)近来推出Semic7(适合0.8-1.2微米工艺技术)和Semic8(适合于0.2-0.6微米工艺技术)级别的试剂质量标准。我国在原有MOS级、BV-I级试剂的基础上,又制定出BV-II级和BV-III级试剂标准(相当于Semic7)。我研究所也研制多种MOS级、BV-I级BV-II级和部分BV-III级试剂,其颗粒度(0.5微粒颗粒)≤25-100个∕ml,金属杂质总量≤10-3—10-5﹪

  光刻胶高纯试剂

  光刻工艺是一种表面加工技术,在半导体电子器件和集成电路制造中占有重要地位。为在表面实现选择性腐蚀,采用一类具有抗蚀作用的感光树脂材料作为抗蚀涂层,称为抗蚀剂,国内通称光刻胶。按照溶解度的不同而将光刻胶分为“正性”光刻胶和“负性”光刻胶,按所用曝光光源和辐射光源的不同,又可将其分为紫外、远紫外、电子束、X射线等光刻胶。

  光刻胶是微细图形加工的一种关键试剂,要求水分低、金属杂质含量低(≤10-6)

  磨抛光高纯试剂

  是指用于硅单晶片表面的研磨和抛光的高纯度试剂。它又分磨粉(三氧化二铝)和磨液(水和油剂),能研磨表面达到微米级加工精度。这类试剂要求颗粒粒度小(纳米),纯度高,金属杂质一般要求2.0×10-4—5×10-5﹪

  液晶高纯试剂

  液晶是一类电子化学材料,是指在一定温度范围内呈现介于固相和液相之间的中间相的有机物。它既有液态的流动性也有晶态的各向异性,有时人称他为第四态。

  液晶种类繁多,用途广,前景好的要属TN(低档)、STN(中高档)、TFT(高档)型。TN、STN及TFT三种型号所组成的单体液晶,主要包括芳香酯类、联苯类、苯基环已烷类、铁电类以及含氟液晶品等五种,它们是当今及今后使用及发展的主要对象。这类高纯试剂要求含量高(≥99﹪),水分含量低(≤10-6),金属杂质含量少(≤10-6)。

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